NTJD4001NT1G
NTJD4001NT1G
Modello di prodotti:
NTJD4001NT1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
43624 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
NTJD4001NT1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 100µA
Contenitore dispositivo fornitore:SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Potenza - Max:272mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi:NTJD4001NT1GOS
NTJD4001NT1GOS-ND
NTJD4001NT1GOSTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:37 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:33pF @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:1.3nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 250mA 272mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:250mA
Email:[email protected]

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