NTB18N06LT4
NTB18N06LT4
Modello di prodotti:
NTB18N06LT4
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità:
76213 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
NTB18N06LT4.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:100 mOhm @ 7.5A, 5V
Dissipazione di potenza (max):48.4W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:NTB18N06LT4OS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 15A (Tc) 48.4W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

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