NSVMMBT6517LT1G
NSVMMBT6517LT1G
Modello di prodotti:
NSVMMBT6517LT1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
60125 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
NSVMMBT6517LT1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):350V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:1V @ 5mA, 50mA
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Potenza - Max:225mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:200MHz
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 200MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:20 @ 50mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):50nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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