NRVBM110ET1G
NRVBM110ET1G
Modello di prodotti:
NRVBM110ET1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
63272 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
NRVBM110ET1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:595mV @ 2A
Tensione - inversa (Vr) (max):10V
Contenitore dispositivo fornitore:Powermite
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:POWERMITE®
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:DO-216AA
Altri nomi:NRVBM110ET1GOSDKR
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-55°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:4 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo:Schottky
Descrizione dettagliata:Diode Schottky 10V 1A Surface Mount Powermite
Corrente - Dispersione inversa a Vr:1µA @ 10V
Corrente - raddrizzata media (Io):1A
Capacità a Vr, F:-
Email:[email protected]

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