NP52N055SUG-E1-AY
Modello di prodotti:
NP52N055SUG-E1-AY
fabbricante:
Renesas Electronics America
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 52A TO-252
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
85364 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
NP52N055SUG-E1-AY.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252 (MP-3ZK)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:14 mOhm @ 26A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.2W (Ta), 56W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:57nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione dettagliata:N-Channel 55V 52A (Tc) 1.2W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:52A (Tc)
Email:[email protected]

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