| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 80V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 1V @ 400mA, 8A |
| Tipo transistor: | NPN |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-3P-3L |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 120W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Altri nomi: | NJW44H11G-ND NJW44H11GOS |
| temperatura di esercizio: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 4 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 85MHz |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 85MHz 120W Through Hole TO-3P-3L |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 80 @ 4A, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 10µA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 10A |
| Email: | [email protected] |
