N0413N-ZK-E1-AY
Modello di prodotti:
N0413N-ZK-E1-AY
fabbricante:
Renesas Electronics America
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
83654 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
N0413N-ZK-E1-AY.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263 (D²Pak)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:3.3 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.5W (Ta), 119W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5550pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione dettagliata:N-Channel 40V 100A (Ta) 1.5W (Ta), 119W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

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