MUN5231DW1T1G
MUN5231DW1T1G
Modello di prodotti:
MUN5231DW1T1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
54020 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
MUN5231DW1T1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 5mA, 10mA
Tipo transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):2.2 kOhms
Resistor - Base (R1):2.2 kOhms
Potenza - Max:250mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:-
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:8 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Numero di parte base:MUN52**DW1T
Email:[email protected]

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