Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > MT47H64M8SH-25E AAT:H
MT47H64M8SH-25E AAT:H
Modello di prodotti:
MT47H64M8SH-25E AAT:H
fabbricante:
Micron Technology
Descrizione:
IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ
Quantità:
62345 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
MT47H64M8SH-25E AAT:H.pdf
Inchiesta

introduzione

MT47H64M8SH-25E AAT:H miglior prezzo e consegna veloce.
BOSER Technology è il distributore di MT47H64M8SH-25E AAT:H, disponiamo delle scorte per la spedizione immediata e disponibili anche per la fornitura a lungo termine. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per MT47H64M8SH-25E AAT:H via e-mail, vi forniremo il miglior prezzo in base al vostro piano.
La nostra email: [email protected]

Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:15ns
Tensione di alimentazione -:1.7 V ~ 1.9 V
Tecnologia:SDRAM - DDR2
Serie:-
Altri nomi:MT47H64M8SH-25E AAT:H-ND
MT47H64M8SH-25EAAT:H
temperatura di esercizio:-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:DRAM
Descrizione dettagliata:SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps
Frequenza dell'orologio:400MHz
Tempo di accesso:400ps
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per MT47H64M8SH-25E AAT:H

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
MT47H64M8SH-25E:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Inchiesta
MT47H64M8SH-25E IT:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Inchiesta
MT47H64M8CF-25E L:G Image MT47H64M8CF-25E L:G Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Inchiesta
MT47R512M4EB-25E:C Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA Inchiesta
MT47H64M8CF-25E:G Image MT47H64M8CF-25E:G Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Inchiesta
MT47H64M8CF-25E IT:G Image MT47H64M8CF-25E IT:G Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Inchiesta
MT47H64M8CF-25E:G TR Image MT47H64M8CF-25E:G TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Inchiesta
MT47H64M8CF-25E IT:G TR Image MT47H64M8CF-25E IT:G TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Inchiesta
MT47H64M8CF-25E L:G TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Inchiesta
MT47H64M8SH-25E AIT:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Inchiesta
MT47H64M8CF-25E AIT:G TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Inchiesta
MT47H64M8JN-25E IT:G Image MT47H64M8JN-25E IT:G Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Inchiesta
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ Inchiesta
MT47R256M4CF-25E:H Image MT47R256M4CF-25E:H Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA Inchiesta
MT47R256M8EB-25E:C Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA Inchiesta
MT47R128M8CF-25:H Image MT47R128M8CF-25:H Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA Inchiesta
MT47H64M8JN-25E:G Image MT47H64M8JN-25E:G Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Inchiesta
MT47H64M8SH-187E:H TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ Inchiesta
MT47R128M8CF-3:H Image MT47R128M8CF-3:H Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA Inchiesta
MT47R256M4CF-3:H Image MT47R256M4CF-3:H Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA Inchiesta

Latest Notizie