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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > MT40A1G8WE-083E AUT:B TR
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR
Modello di prodotti:
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR
fabbricante:
Micron Technology
Descrizione:
IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
54390 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:-
Tensione di alimentazione -:1.14 V ~ 1.26 V
Tecnologia:SDRAM - DDR4
Contenitore dispositivo fornitore:78-FBGA (8x12)
Serie:-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:78-TFBGA
Altri nomi:557-1684-2
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR-ND
temperatura di esercizio:-40°C ~ 125°C (TC)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:8Gb (1G x 8)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 1.2GHz 78-FBGA (8x12)
Frequenza dell'orologio:1.2GHz
Email:[email protected]

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