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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > MT29F32G08AECBBH1-12:B
MT29F32G08AECBBH1-12:B
Modello di prodotti:
MT29F32G08AECBBH1-12:B
fabbricante:
Micron Technology
Descrizione:
IC FLASH 32G PARALLEL 100VBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
49174 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
MT29F32G08AECBBH1-12:B.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:-
Tensione di alimentazione -:2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia:FLASH - NAND
Contenitore dispositivo fornitore:100-VBGA (12x18)
Serie:-
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:100-VBGA
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Non-Volatile
Dimensione della memoria:32Gb (4G x 8)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:FLASH - NAND Memory IC 32Gb (4G x 8) Parallel 83MHz 100-VBGA (12x18)
Frequenza dell'orologio:83MHz
Numero di parte base:MT29F32G08
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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