Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > MT29E256G08CMCDBJ5-6:D
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D
Modello di prodotti:
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D
fabbricante:
Micron Technology
Descrizione:
IC FLASH 256G PARALLEL 132TBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
81121 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D.pdf
Inchiesta

introduzione

MT29E256G08CMCDBJ5-6:D miglior prezzo e consegna veloce.
BOSER Technology è il distributore di MT29E256G08CMCDBJ5-6:D, disponiamo delle scorte per la spedizione immediata e disponibili anche per la fornitura a lungo termine. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per MT29E256G08CMCDBJ5-6:D via e-mail, vi forniremo il miglior prezzo in base al vostro piano.
La nostra email: [email protected]

Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:-
Tensione di alimentazione -:2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia:FLASH - NAND
Contenitore dispositivo fornitore:132-TBGA (12x18)
Serie:-
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:132-TBGA
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Non-Volatile
Dimensione della memoria:256Gb (32G x 8)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:FLASH - NAND Memory IC 256Gb (32G x 8) Parallel 167MHz 132-TBGA (12x18)
Frequenza dell'orologio:167MHz
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per MT29E256G08CMCDBJ5-6:D

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR Micron Technology IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ Inchiesta
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B Micron Technology IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ Inchiesta
MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA Inchiesta
MT29E256G08CECCBH6-6:C TR Micron Technology IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ Inchiesta
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR Micron Technology IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA Inchiesta
MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A Micron Technology IC FLASH 256G PARALLEL 132TBGA Inchiesta
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B Micron Technology IC FLASH 1.125T PARALLEL VBGA Inchiesta
MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR Micron Technology IC FLASH 256G PARALLEL 132VBGA Inchiesta
MT29E256G08CECBBH6-6:B TR Micron Technology IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ Inchiesta
MT29E2T08CUHBBM4-3:B Micron Technology IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ Inchiesta
MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ Inchiesta
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C Micron Technology IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ Inchiesta
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR Micron Technology IC FLASH 256G PARALLEL 132TBGA Inchiesta
MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR Micron Technology IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ Inchiesta
MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR Micron Technology IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ Inchiesta
MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B Micron Technology IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ Inchiesta
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR Micron Technology IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ Inchiesta
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR Micron Technology IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ Inchiesta
MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR Micron Technology IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ Inchiesta
MT29E256G08CECCBH6-6:C Micron Technology IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ Inchiesta

Latest Notizie