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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > MRF6S19100HSR3
MRF6S19100HSR3
Modello di prodotti:
MRF6S19100HSR3
fabbricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione:
FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
84687 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
MRF6S19100HSR3.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - Prova:28V
Tensione - nominale:68V
Tipo transistor:LDMOS
Contenitore dispositivo fornitore:NI-780S
Serie:-
Alimentazione - uscita:22W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:NI-780S
Figura di rumore:-
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Guadagno:16.1dB
Frequenza:1.99GHz
Descrizione dettagliata:RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 1.99GHz 16.1dB 22W NI-780S
Valutazione attuale:-
Corrente - Test:900mA
Numero di parte base:MRF6S19100
Email:[email protected]

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