| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 60V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 1.6V @ 30mA, 300mA |
| Tipo transistor: | 4 PNP (Quad) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-116 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 650mW |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| temperatura di esercizio: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 30 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 200MHz |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 60V 600mA 200MHz 650mW Through Hole TO-116 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 50 @ 300mA, 10V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 50nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 600mA |
| Email: | [email protected] |
