| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Tipo transistor: | PNP - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie: | - |
| Resistor - Emitter Base (R2): | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 22 kOhms |
| Potenza - Max: | 246mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descrizione dettagliata: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Numero di parte base: | MMUN21**L |
| Email: | [email protected] |
