MMJT350T1G
MMJT350T1G
Modello di prodotti:
MMJT350T1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
37002 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
MMJT350T1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):300V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:-
Tipo transistor:PNP
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-223
Serie:-
Potenza - Max:650mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi:MMJT350T1G-ND
MMJT350T1GOSTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:2 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:-
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 500mA 650mW Surface Mount SOT-223
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 50mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):500mA
Numero di parte base:MMJT350
Email:[email protected]

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