MMIX2F60N50P3
Modello di prodotti:
MMIX2F60N50P3
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH
Quantità:
90544 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
MMIX2F60N50P3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 4mA
Contenitore dispositivo fornitore:24-SMPD
Serie:HiPerFET™, Polar3™
Rds On (max) a Id, Vgs:110 mOhm @ 30A, 10V
Potenza - Max:320W
Contenitore / involucro:24-SMD Module, 9 Leads
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6250pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:96nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 30A (Tc) 320W Surface Mount 24-SMPD
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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