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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-RF > MDS1100
MDS1100
Modello di prodotti:
MDS1100
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
TRANS RF BIPO 8750W 100A 55TU1
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
56114 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
MDS1100.pdf
Inchiesta

introduzione

MDS1100 miglior prezzo e consegna veloce.
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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):65V
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:55TU-1
Serie:-
Potenza - Max:8750W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:55TU-1
temperatura di esercizio:200°C (TJ)
Di rumore (dB tip @ f):-
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Guadagno:8.9dB
Frequenza - transizione:1.03GHz
Descrizione dettagliata:RF Transistor NPN 65V 100A 1.03GHz 8750W Surface Mount 55TU-1
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:20 @ 5A, 5V
Corrente - collettore (Ic) (max):100A
Email:[email protected]

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