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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > M39L0R8090U3ZE6F TR
M39L0R8090U3ZE6F TR
Modello di prodotti:
M39L0R8090U3ZE6F TR
fabbricante:
Micron Technology
Descrizione:
IC FLASH RAM 256M PAR 133VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
57167 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
M39L0R8090U3ZE6F TR.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:-
Tensione di alimentazione -:1.7 V ~ 1.95 V
Tecnologia:FLASH - NOR, Mobile LPDDR SDRAM
Contenitore dispositivo fornitore:133-VFBGA (8x8)
Serie:-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:133-VFBGA
Altri nomi:M39L0R8090U3ZE6F TR-ND
M39L0R8090U3ZE6FTR
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Non-Volatile
Dimensione della memoria:256Mb (16M x 16), 512M (32M x 16)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:FLASH, RAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:FLASH - NOR, Mobile LPDDR SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16), 512M (32M x 16) Parallel 70ns 133-VFBGA (8x8)
Numero di parte base:M39L0R8090
Tempo di accesso:70ns
Email:[email protected]

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