Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > JANTXV1N6626U
JANTXV1N6626U
Modello di prodotti:
JANTXV1N6626U
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità:
51801 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
JANTXV1N6626U.pdf
Inchiesta

introduzione

JANTXV1N6626U miglior prezzo e consegna veloce.
BOSER Technology è il distributore di JANTXV1N6626U, disponiamo delle scorte per la spedizione immediata e disponibili anche per la fornitura a lungo termine. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per JANTXV1N6626U via e-mail, vi forniremo il miglior prezzo in base al vostro piano.
La nostra email: [email protected]

Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - Picco inversa (max):Standard
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.75A
Tensione - Ripartizione:D-5B
Serie:Military, MIL-PRF-19500/590
Stato RoHS:Bulk
Tempo di ripristino inverso (trr):Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistenza a If, F:-
Polarizzazione:SQ-MELF, E
Altri nomi:1086-19980
1086-19980-MIL
Temperatura di funzionamento - Giunzione:30ns
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:JANTXV1N6626U
Descrizione espansione:Diode Standard 200V 1.75A Surface Mount D-5B
Configurazione diodo:2µA @ 200V
Descrizione:DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF
Corrente - Dispersione inversa a Vr:1.35V @ 2A
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo):200V
Capacità a Vr, F:-65°C ~ 150°C
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per JANTXV1N6626U

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
JANTXV1N6629 Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL Inchiesta
JANTXV1N6626US Microsemi DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B Inchiesta
JANTXV1N6627U Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF Inchiesta
JANTXV1N6628U Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF Inchiesta
JANTXV1N6628 Image JANTXV1N6628 Microsemi DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL Inchiesta
JANTXV1N6625US Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A Inchiesta
JANTXV1N6623US Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1A D5A Inchiesta
JANTXV1N6627 Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL Inchiesta
JANTXV1N6625U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF Inchiesta
JANTXV1N6629US Microsemi DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B Inchiesta
JANTXV1N6624U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF Inchiesta
JANTXV1N6625 Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A Inchiesta
JANTXV1N6624 Microsemi DIODE GEN PURP 990V 1A D5A Inchiesta
JANTXV1N6623 Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1A D5A Inchiesta
JANTXV1N6626 Microsemi DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL Inchiesta
JANTXV1N6627US Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B Inchiesta
JANTXV1N6624US Microsemi DIODE GEN PURP 900V 1A D5A Inchiesta
JANTXV1N6628US Microsemi DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B Inchiesta
JANTXV1N6623U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF Inchiesta
JANTXV1N6630 Microsemi DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL Inchiesta

Latest Notizie