IXTT6N120
IXTT6N120
Modello di prodotti:
IXTT6N120
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
40037 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IXTT6N120.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-268
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:2.6 Ohm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1950pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):1200V
Descrizione dettagliata:N-Channel 1200V 6A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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