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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTH60N30T
IXTH60N30T
IXTH60N30T
Modello di prodotti:
IXTH60N30T
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 300V 60A TO-247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
42257 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IXTH60N30T.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247 (IXTH)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:-
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione drain-source (Vdss):300V
Descrizione dettagliata:N-Channel 300V 60A (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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