| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 6V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 40 Ohm @ 50mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 190W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | i4-Pac™-5 (3 Leads) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 24 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free by exemption / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3300pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 88nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 4500V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 4500V 1.4A (Tc) 190W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™ |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
