IXFT16N80P
IXFT16N80P
Modello di prodotti:
IXFT16N80P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 16A TO-268
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
52581 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IXFT16N80P.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 4mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-268
Serie:HiPerFET™, PolarHT™
Rds On (max) a Id, Vgs:600 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):460W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:71nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione dettagliata:N-Channel 800V 16A (Tc) 460W (Tc) Surface Mount TO-268
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

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