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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFR12N120P
IXFR12N120P
IXFR12N120P
Modello di prodotti:
IXFR12N120P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 1200V ISOPLUS247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
85729 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IXFR12N120P.pdf
Inchiesta

introduzione

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BOSER Technology è il distributore di IXFR12N120P, disponiamo delle scorte per la spedizione immediata e disponibili anche per la fornitura a lungo termine. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IXFR12N120P via e-mail, vi forniremo il miglior prezzo in base al vostro piano.
La nostra email: [email protected]

Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:ISOPLUS247™
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:-
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:ISOPLUS247™
temperatura di esercizio:-
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:18 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione drain-source (Vdss):1200V
Descrizione dettagliata:N-Channel 1200V Through Hole ISOPLUS247™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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