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IS42S16800F-6B
IS42S16800F-6B
Modello di prodotti:
IS42S16800F-6B
fabbricante:
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Descrizione:
IC DRAM 128M PARALLEL 166MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
60030 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IS42S16800F-6B.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:-
Tensione di alimentazione -:3 V ~ 3.6 V
Tecnologia:SDRAM
Contenitore dispositivo fornitore:54-TFBGA (8x8)
Serie:-
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:54-TFBGA
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8)
Frequenza dell'orologio:166MHz
Tempo di accesso:5.4ns
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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IS42S16800E-7TL Image IS42S16800E-7TL ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Inchiesta
IS42S16800F-6TL-TR Image IS42S16800F-6TL-TR ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Inchiesta
IS42S16800E-7TLI-TR Image IS42S16800E-7TLI-TR ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Inchiesta
IS42S16800F-6BI Image IS42S16800F-6BI ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IC DRAM 128M PARALLEL 166MHZ Inchiesta
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