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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > IS29GL512S-11DHB01-TR
IS29GL512S-11DHB01-TR
IS29GL512S-11DHB01-TR
Modello di prodotti:
IS29GL512S-11DHB01-TR
fabbricante:
Cypress Semiconductor
Descrizione:
IC FLASH 512M PARALLEL
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
55786 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IS29GL512S-11DHB01-TR.pdf
Inchiesta

introduzione

IS29GL512S-11DHB01-TR miglior prezzo e consegna veloce.
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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:60ns
Tensione di alimentazione -:2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia:FLASH - NOR
Contenitore dispositivo fornitore:64-Fortified BGA (9x9)
Serie:GL-S
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:64-LBGA
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Non-Volatile
Dimensione della memoria:512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 110ns 64-Fortified BGA (9x9)
Tempo di accesso:110ns
Email:[email protected]

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