IRLR110TRPBF
IRLR110TRPBF
Modello di prodotti:
IRLR110TRPBF
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
49906 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IRLR110TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-Pak
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:540 mOhm @ 2.6A, 5V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 25W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:IRLR110PBFDKR
IRLR110PBFDKR-ND
IRLR110TRPBFDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:18 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6.1nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4V, 5V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:N-Channel 100V 4.3A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.3A (Tc)
Email:[email protected]

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