| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Micro6™(SOT23-6) |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 |
| Altri nomi: | IRLMS2002PBFTR SP001567202 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1310pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 20V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(SOT23-6) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
