| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-263-5 |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 18 mOhm @ 35A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 130W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2190pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 40V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 40V 59A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount TO-263-5 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 59A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
