IRFR2905ZTRPBF
Modello di prodotti:
IRFR2905ZTRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
35543 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IRFR2905ZTRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-Pak
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:14.5 mOhm @ 36A, 10V
Dissipazione di potenza (max):110W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:IRFR2905ZPBFTR
IRFR2905ZTRPBF-ND
IRFR2905ZTRPBFTR-ND
SP001552100
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1380pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:44nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione dettagliata:N-Channel 55V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:42A (Tc)
Email:[email protected]

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