| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Micro8™ |
| Serie: | FETKY™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 130 mOhm @ 1.7A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.25W (Ta) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 210pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 30V 2.7A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro8™ |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
