| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 15 mOhm @ 8.8A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | *IRF7475PBF SP001563546 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1590pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 2.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 12V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 12V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
