| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.35V @ 25µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DIRECTFET™ MA |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 6.6 mOhm @ 15A, 10V |
| Potenza - Max: | 2.7W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | DirectFET™ Isometric MA |
| Altri nomi: | SP001529196 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1380pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15A 2.7W Surface Mount DIRECTFET™ MA |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 15A |
| Numero di parte base: | IRF6723M2DPBF |
| Email: | [email protected] |
