IRF610STRRPBF
IRF610STRRPBF
Modello di prodotti:
IRF610STRRPBF
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
66833 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IRF610STRRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:1.5 Ohm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3W (Ta), 36W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:11 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:140pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:8.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione dettagliata:N-Channel 200V 3.3A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.3A (Tc)
Email:[email protected]

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