IRF60B217
IRF60B217
Modello di prodotti:
IRF60B217
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 60A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
29797 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IRF60B217.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3.7V @ 50µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:StrongIRFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:9 mOhm @ 36A, 10V
Dissipazione di potenza (max):83W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:SP001571396
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2230pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:66nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 60A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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