| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Micro6™(TSOP-6) |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 98 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2W (Ta) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 511pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 30V 3.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
