IRF200P223
IRF200P223
Modello di prodotti:
IRF200P223
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
56894 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IRF200P223.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 270µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247AC
Serie:StrongIRFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:11.5 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max):313W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
Altri nomi:SP001582440
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5094pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:102nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione dettagliata:N-Channel 200V 100A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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