| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 40µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO251-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 6.3 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 83W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Altri nomi: | IPUH6N03LB G-ND IPUH6N03LBG IPUH6N03LBGX SP000209114 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2800pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 30V 50A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
