IPSH4N03LA G
IPSH4N03LA G
Modello di prodotti:
IPSH4N03LA G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
41857 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IPSH4N03LA G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2V @ 40µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO251-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:4.4 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max):94W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Altri nomi:IPSH4N03LA G-ND
IPSH4N03LAG
IPSH4N03LAGX
SP000016331
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3200pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione dettagliata:N-Channel 25V 90A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

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