IPG20N06S4L26ATMA1
IPG20N06S4L26ATMA1
Modello di prodotti:
IPG20N06S4L26ATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
88502 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IPG20N06S4L26ATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 10µA
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TDSON-8-4
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:26 mOhm @ 17A, 10V
Potenza - Max:33W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:IPG20N06S4L26ATMA1TR
SP000705588
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1430pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 33W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20A
Email:[email protected]

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