IPD80R280P7ATMA1
IPD80R280P7ATMA1
Modello di prodotti:
IPD80R280P7ATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 17A TO252
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
64467 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IPD80R280P7ATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 360µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:280 mOhm @ 7.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):101W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:IPD80R280P7ATMA1TR
SP001422596
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 500V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:Super Junction
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione dettagliata:N-Channel 800V 17A (Tc) 101W (Tc) Surface Mount TO-252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

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