IPD60R600E6ATMA1
IPD60R600E6ATMA1
Modello di prodotti:
IPD60R600E6ATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
41964 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IPD60R600E6ATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 200µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252
Serie:CoolMOS™ E6
Rds On (max) a Id, Vgs:600 mOhm @ 2.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max):63W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:SP001117094
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7.3A (Tc)
Email:[email protected]

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