IPB024N08N5ATMA1
IPB024N08N5ATMA1
Modello di prodotti:
IPB024N08N5ATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V TO263-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
51888 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IPB024N08N5ATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3.8V @ 154µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D²PAK (TO-263AB)
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:2.4 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max):214W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:SP001227044
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:8970pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:123nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione dettagliata:N-Channel 80V 120A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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