| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 10ns |
| Tensione di alimentazione -: | 3 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | SRAM - Asynchronous |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 48-CABGA (9x9) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 48-TFBGA |
| Altri nomi: | 71V416VS10BEI8 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 4Mb (256K x 16) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | SRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descrizione dettagliata: | SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 48-CABGA (9x9) |
| Numero di parte base: | IDT71V416 |
| Tempo di accesso: | 10ns |
| Email: | [email protected] |
