HAT2266H-EL-E
HAT2266H-EL-E
Modello di prodotti:
HAT2266H-EL-E
fabbricante:
Renesas Electronics America
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
46302 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
HAT2266H-EL-E.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:LFPAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:12 mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max):23W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-100, SOT-669
Altri nomi:HAT2266H-EL-E-ND
HAT2266H-EL-ETR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3600pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 30A (Ta) 23W (Tc) Surface Mount LFPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Ta)
Email:[email protected]

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