GWM160-0055X1-SLSAM
Modello di prodotti:
GWM160-0055X1-SLSAM
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
67936 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
GWM160-0055X1-SLSAM.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:ISOPLUS-DIL™
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:3.3 mOhm @ 100A, 10V
Potenza - Max:-
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:17-SMD, Flat Leads
Altri nomi:GWM160-0055X1-SL SAM
GWM160-0055X1-SL SAM-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:105nC @ 10V
Tipo FET:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 150A Surface Mount ISOPLUS-DIL™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:150A
Numero di parte base:GWM160
Email:[email protected]

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