GP2M008A060FGH
GP2M008A060FGH
Modello di prodotti:
GP2M008A060FGH
fabbricante:
Global Power Technologies Group
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
28119 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
GP2M008A060FGH.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220F
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Dissipazione di potenza (max):39W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
Altri nomi:1560-1204-1
1560-1204-1-ND
1560-1204-5
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1063pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 7.5A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7.5A (Tc)
Email:[email protected]

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