GP1M005A050CH
GP1M005A050CH
Modello di prodotti:
GP1M005A050CH
fabbricante:
Global Power Technologies Group
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
53033 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
GP1M005A050CH.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-Pak
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:1.65 Ohm @ 2.25A, 10V
Dissipazione di potenza (max):92.5W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:627pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione dettagliata:N-Channel 500V 4.5A (Tc) 92.5W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.5A (Tc)
Email:[email protected]

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