GB01SLT12-252
GB01SLT12-252
Modello di prodotti:
GB01SLT12-252
fabbricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
80772 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
GB01SLT12-252.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.8V @ 1A
Tensione - inversa (Vr) (max):1200V
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252
Velocità:No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):0ns
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:1242-1126-6
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-55°C ~ 175°C
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:19 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo:Silicon Carbide Schottky
Descrizione dettagliata:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 1A Surface Mount TO-252
Corrente - Dispersione inversa a Vr:2µA @ 1200V
Corrente - raddrizzata media (Io):1A
Capacità a Vr, F:69pF @ 1V, 1MHz
Email:[email protected]

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